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dwcnts, 2-5nm di diametro, 1-2um o 5-20um di lunghezza, ampiamente utilizzato nei film di semiconduttori.

  • origine del prodotto:

    China
  • oggetto numero.:

    .C921-DW
  • porto di spedizione:

    guangzhou,shenzhen
  • colore:

    black
  • pagamento:

    T/T. PayPal
Dettagli del prodotto

dwcnts di nanomateriali unidimensionali, film di semiconduttori utilizzati nanotubi di carbonio a parete doppia

specifica: 2-5 nm, 1-2um o 5-20um di lunghezza, u0026 gt; 91% di purezza.


i nanotubi di carbonio a doppia parete sono considerati la linea monodimensionale finale sulla base del carbonio puro. nanotubo di carbonio a doppia parete privo di difetti con una superficie liscia con precisione atomica sul nanometro che produce una speranza portante. i doppi aperti a entrambe le estremità, tra gli strati di vibrazione interni ed esterni nella direzione assiale possono raggiungere il livello di ghz, è un buon materiale per la preparazione del nano-oscillatore.

i nanotubi di carbonio a doppia parete sono materiali unidimensionali tra gli importanti nanotubi di carbonio a parete singola e multi-parete tra gli strati interno ed esterno dei suoi parametri chirali e la spaziatura interna ed esterna del tubo rilevante, tra 0,33 nm e 0,42 nm, rispetto al comune spaziatura di nanotubi di carbonio a parete multipla. a causa dei nanotubi di carbonio a doppia parete tra gli strati interno ed esterno del tubo delle interazioni deboli, che ha portato a un nanotubi di carbonio a doppia parete hanno una struttura a banda unica, ci si può aspettare che abbia proprietà elettriche e ottiche uniche.

nanotubi di carbonio a doppia parete e proprietà elettriche di nanotubi di carbonio a parete singola prestazioni simili a quelle del conduttore a temperatura ambiente, mentre diversi dai nanotubi di carbonio a parete multipla. con l'aumentare della temperatura, la resistività del nanotubo di carbonio a doppia parete è stata ridotta dopo il primo trend crescente, c'è una resistività minima del punto. pellicola di nanotubi di carbonio a doppia parete dalla guida alla trasformazione del corpo dei semiconduttori, la cui temperatura caratteristica può raggiungere 32 k, rispetto a un singolo nanotubo di carbonio a parete singola, con fasci di 35 k in meno.

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