nanopolveri / nanoparticelle di lega di stagno di bismuto (sn-bi)

Offerta diretta della fabbrica della Cina Polvere di nanoparticelle di stagno di bismush, qualità buona e stabile, prezzo di fabbrica, morfologia sferica, 100nm-1um può essere personalizzato, qualsiasi esigenza benvenuto all'inchiesta!

Hongwu sta fornendo la lega fusibile nano Snbi Materiale, 200-300nm, 300-500nm, 1-3um, ecc. Dopo il riscaldamento di fusione della lega ha una buona fluidità, quindi questo tipo di metallo a basso punto di fusione è ampiamente utilizzato per utilizzare lo stampoCasting Metodo. Fell libero di contattarci su hwnano@xuzhounano.com, grazie.

4-6um zirconio & nbsp; nanopolveri & nbsp; con la purezza del 99,5% & emsp; si applicano all'industria nucleare.

per il trasporto sicuro e facile da disperdere, ora abbiamo aggiornato la tecnologia per produrre polvere di rame nano, in polvere umida, più facile da disperdere.

biossido di titanio rutilo le nanopolveri hanno la caratteristica di non tossico, la migliore bianchezza e la luminosità applicare per produrre la crema solare.

la polvere di diboruro di titanio è un nuovo materiale ceramico ed ha eccellenti prestazioni fisiche e chimiche.

La fabbrica cinese offre direttamente nanopolveri di Pd ultrafini da 10 nm, dimensione media delle particelle, elevata purezza del 99,95%, prestazioni del catalizzatore delle merci. Qualità buona e stabile sia per gli ordini di prova che per gli ordini in lotti. COA, SEM, MSDS disponibili. Qualsiasi esigenza non esitare a contattarci! 

99% le polveri di carburo di titanio hanno un'alta intensità applicata al crogiolo prodotto di pinze metalliche.

i nanotubi di carbonio multistrato con grafitizzazione drogata con azoto sono fabbricati per una migliore applicazione pratica, per una buona dispersibilità dell'acqua e conduttività.

polvere di rame, hanno 0,2um, 0,3um, 0,5um, 0,8um diverse dimensioni, è ampiamente usato in pasta elettronica.

Cuscinetto ceramico in zirconio di alta qualità

polveri di grafene a strato singolo come le più leggere e sottili materiale nel mondo che sostituirà un materiale ideale per la fabbricazione di transistor al silicio nel campo iperfine della microelettronica nel futuro.