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Stock di nanopolveri 1/1,5/2% W VO2 drogato, nanoparticelle di biossido di vanadio drogato con tungsteno

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Stock di nanopolveri 1/1,5/2% W VO2 drogato, nanoparticelle di biossido di vanadio drogato con tungsteno

La temperatura di transizione di fase metallo-semiconduttore del biossido di vanadio può essere ridotta a temperatura ambiente o inferiore mediante drogaggio al tungsteno.
Il rivestimento della miscela di nanoparticelle di biossido di vanadio drogato con tungsteno può mostrare proprietà termocromiche a temperatura ambiente. Il suo potenziale valore applicativo include pellicole oscuranti di edifici, materiali a termistore, materiali di commutazione fotoelettrica, elementi di imaging a infrarossi.

  • origine del prodotto:

    China
  • oggetto numero.:

    WP501
  • porto di spedizione:

    Guangzhou, Shanghai
  • colore:

    black
  • tempi di consegna:

    in stock
Dettagli del prodotto


Stock di nanopolveri 1/1,5/2% W VO2 drogato, nanoparticelle di biossido di vanadio drogato con tungsteno


La temperatura di transizione di fase metallo-semiconduttore del biossido di vanadio può essere ridotta a temperatura ambiente o inferiore mediante drogaggio al tungsteno.


Il rivestimento in polvere di miscela di biossido di vanadio drogato con tungsteno può mostrare proprietà termocromiche a temperatura ambiente. Pertanto, ha un potenziale valore di applicazione in molti campi, come film oscuranti di edifici, materiali per termistori, materiali di commutazione fotoelettrica, elementi di imaging a infrarossi.



Prodotto: Nanoparticelle di biossido di vanadio drogato con tungsteno

Formula: W-VO2

Drogato: 1% W, 1,5 W%, 2% W, personalizzato

Dimensione delle particelle: 100-200 nm

Purezza: ≥99%

Colore: nero grigiastro

Il metodo del doping è il metodo principale per ridurre la temperatura della transizione di fase VO2.

B y magnetron sputtering, su wafer di silicio sono stati ottenuti film sottili di VO2 con resistenza variabile di due ordini di grandezza. Sono state testate le proprietà elettriche dei film. I risultati mostrano che la temperatura di transizione di fase del film di biossido di vanadio drogato con tungsteno è inferiore a quella del film di biossido di vanadio puro e anche la trasmittanza nel vicino infrarosso del film di biossido di vanadio drogato con tungsteno è ridotta.



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