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materiali avanzati nano utilizzati in elettronica flessibile veloce

  • February 6,2015.

l'elettronica flessibile impiegata in semiconduttori organici, semiconduttori amorfi e policristallini esistono da molti anni. l'elettronica fexible basata su polimeri organici presenta straordinaria flessibilità, flessibilità e elasticità. Queste eccellenti prestazioni meccaniche ne consentono l'uso in una serie di applicazioni uniche. sono particolarmente utili per carte elettroniche e tessuti elettronici, sebbene i valori di mobilità siano molto bassi rispetto alla maggior parte dei semiconduttori inorganici. nanoparticella di silicio amorfo e il silicio policristallino ha valori di mobilità del portatore molto più elevati rispetto ai polimeri organici. alcuni di essi possono anche essere fabbricati in vaste aree a un costo relativamente basso.


i materiali ideali per le applicazioni ad alta velocità sono materiali ad alta mobilità. Ciò vale anche per l'elettronica flessibile ad alta velocità. l'elenco dei materiali per la potenziale elettronica veloce e flessibile include nanotubi di carbonio, grafene e un numero di nanotubi di carbonio a parete singola che hanno una mobilità intrinseca del portatore molto elevata. tuttavia, sono stati difficili da usare a causa dei difficili problemi di allineamento della manipolazione e della difficoltà di separare i tubi metallici e semiconduttori. grafene è un materiale relativamente nuovo, che presenta valori di mobilità molto elevati. la mancanza di bangap è attualmente il collo di bottiglia che impedisce di utilizzarlo come un tipo utile di semiconduttore.


il semiconduttore inorganico monocristallino è recentemente emerso come un materiale semiconduttore molto promettente per l'elettronica flessibile veloce. ottenere questi materiali in forme molto sottili è stata la chiave per la loro applicazione pratica. semplicemente il taglio dei wafer allo spessore desiderato non è economico per l'elettronica flessibile, in particolare per l'elettronica di grandi dimensioni e tra gli orientamenti dello stesso materiale, il rilascio selettivo di alcuni strati di semiconduttori sottilissimi con elevate quantità di materiale.






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