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nanoparticelle di ossido di indio metallico (in2o3) di elevata purezza al 99,99%

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nanoparticelle di ossido di indio metallico (in2o3) di elevata purezza al 99,99%

trovare alta purezza 99,99% di ossido di indio 50nm in 2o3 nanoparticelle da hw nano con qualità garantita.

  • origine del prodotto:

    china
  • porto di spedizione:

    Guangzhou,Shenzhen,Shanghai
  • colore:

    yellow
  • pagamento:

    T/T,Paypal,western union
Dettagli del prodotto


introduzione


hongwu international group ltd è il principale produttore e fornitore di nanoparticelle di ossidi metallici. questa impresa high-tech si concentra sulla ricerca e lo sviluppo della nanotecnologia e fornisce nanoparticelle metalliche, nanoparticelle di leghe, nanoparticelle di ossido, nanotubi di carbonio e nanocavi.

l'ossido di indio è un ossido anfotero di indio ,, e il triossido di indio è un'estensione dei prodotti di indio, ampiamente utilizzati come additivi per lo schermo, vetro, ceramica, reagenti chimici, mercurio e batterie alcaline prive di mercurio. suo prodotti simili hanno nanoparticelle di ossido di indio-stagno (ito), nanoparticelle di ossido di antimonio di stagno (ato) e nanoparticelle di ossido di zinco (azo) di alluminio.



proprietà

formula chimica: in2o3
cas n. 1312-43-2

peso della formula: 277,64

dimensione delle particelle: 50 nm

purezza: 99,99% (4n)

aspetto: polvere giallo chiaro


applicazioni

rivestimenti ottici e antistatici
come sostituto del mercurio come inibitore della batteria

forma una ceramica conduttiva trasparente in combinazione con l'ossido di stagno


La nanoparticella di ossido di indio è spesso utilizzata come materia prima nel touch screen resistivo, utilizzata principalmente per schermo, vetro, ceramica, reagenti chimici, ecc. Inoltre, è anche ampiamente usata in vetro colorato, ceramica, batteria alcalina di manganese, campo reagenti chimici. negli ultimi anni più utilizzato industria dell'elettricità leggera, altri campi ad alta tecnologia e campo militare, particolarmente adatto per la lavorazione del materiale target di ossido di indio stagno (ito), rendere l'elettrodo trasparente e materiale trasparente riflettore di calore.




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