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    nanopolveri di beta SiC ad alta purezza 99,99% Il nostro β-SiC nano 4N (purezza 99,99%) è sintetizzato con precisione tramite CVD, garantendo una granulometria ultrafine e un'eccezionale attività di sinterizzazione per componenti ceramici ad alta densità. Eccelle negli ambienti più esigenti del settore dei semiconduttori, dai mandrini CMP e dalle piattaforme di litografia agli anelli di focalizzazione per l'incisione al plasma e ai rivestimenti delle camere di sinterizzazione. La sua inerzia chimica e il minimo degassamento di impurità metalliche massimizzano la resa dei chip dove conta di più. È la scelta preferita dai principali produttori di semiconduttori e apparecchiature a livello mondiale. more

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    Dispersione/colloide acquosa di nano SiO₂ sferico monodisperso Questa dispersione acquosa trasparente di SiO₂ è sintetizzata tramite tecnologia sol-gel brevettata, caratterizzata da un’eccellente trasmittanza della luce visibile e da una shelf life >18 mesi in condizioni di stoccaggio ambientale. È ampiamente utilizzata nell’elettronica come materiale dielettrico a bassa costante dielettrica (low-k), nella biomedicina come vettore di farmaci e nell’ottica per rivestimenti antiriflesso. more

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    Nanoparticelle VO₂ Phase-Smart: risposta termica intelligente, progettate su misura Da materiale a cambiamento di colore termocromico a materiale per il controllo intelligente della temperatura: la rivoluzione delle prestazioni e il progetto applicativo del diossido di vanadio e del VO2 drogato con tungsteno more

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    Le soluzioni di stampa 3D in ceramica di precisione trasformano strutture impossibili in realtà Soluzioni di stampa 3D in ceramica di precisione – Ridefinendo i confini della produzione ceramica, dalle restaurazioni dentali ai componenti ad alta temperatura di livello aerospaziale.La stampa 3D in ceramica di precisione trasforma strutture impossibili in realtà. more

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  • October 17,2014.
dielettrici di gate per transistori flessibili a film sottile di tipo swnt

tecniche convenzionali di microfabbricazione o approcci di stampa possono essere applicati a film di materia plastica su plastica per formare dispositivi e circuiti flessibili. Un importante componente dei trucioli di ferro è il dielettrico di gate. idealmente, i dielettrici dovrebbero offrire capacità elevate per il funzionamento a bassa tensione e senza isteresi, insieme a basse densità di corrente di dispersione per l'efficienza energetica.


i metodi di deposizione compatibili con i substrati plastici flessibili possono essere anche critici, a seconda dell'applicazione.possibilità di classificare i multistrati organici reticolati in 3d formati da processi di auto-assemblaggio a temperatura ambiente, a causa delle grandi capacità, eccellenti proprietà isolanti e lisce morfologie superficiali.


i dielettrici ad alta capacità riducono notevolmente anche l'oscillazione sottosoglia dei tronconi di pinnacolo, il che consente di ottenere una tensione a tensione ancora più bassa di quella che si potrebbe dedurre dalle differenze di capacità. pertanto, l'isteresi per i dispositivi sia a canale n che a canale n costruiti su nanodielettrici a doppio strato o multistrati organici è molto più piccola di quella dei dispositivi su dielettrici di ossido o polimero di spessore più esplorato, probabilmente a causa di una riduzione dei campi elettrici vicino ai sivi come il risultato di una minore tensione operativa e di un minor numero di trappole nei dielettrici.

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